芯片制造商SK 海力士新建工厂的规划今日得到韩国政府批准，该工厂总投资额将达到 1060 亿美元，地点位于首尔南部约 50 公里的位置。

消息表示，SK 海力士此工厂总面积额将达到 415 万平方米，计划主要生产 DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度开工，2025 年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂，每个月产量为80 万片。

IT之家此前报道，SK 海力士近日表示，将在未来 10 年内开发 10nm 以下制程工艺的 DRAM 芯片，以及 600 层堆叠的 NAND 闪存。截至目前，该公司已经成功研发出 176 层堆叠的 3D NAND。新技术将引入新的电介质材料来保持均匀电荷，从而保持可靠性，减少漏电。

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